IRS2005STRPBF

Name: IRS2005STRPBF
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony MCU
(217)

Złącza FFC FPC
(3667)

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
(2459)

Audio Specjalny cel
(1050)

Układy scalone do akwizycji danych
(1000)

Wbudowane ICS
(1000)

Układy scalone interfejsów
(1000)

Liniowy układ scalony
(950)

IC logiczny
(894)

Układ pamięci
(984)

Zarządzanie energią
(939)

RF i bezprzewodowe
(995)

Czujniki temperatury IC
(1000)

Mnożniki częstotliwości
(934)

Zabezpieczenie obwodu IC
(992)

Dyskretny półprzewodnik
(911)

Polimerowe kondensatory
(700)

Czujniki ultradźwiękowe
(1000)

Układy scalone IC
(1000)

Ochrona obwodu
(692)

Optoelektronika
(1000)

Złącza koaksjalne
(400)

Dyskretne produkty półprzewodnikowe
(853)

Filtry ceramiczne Murata
(757)

Induktory, cewki, dusze
(950)

Złącza specyfikacji MIL
(890)

Układy scalone ICS
(27)

Im Online Czat teraz

Duży Obraz : IRS2005STRPBF

Szczegóły Produktu: Zapłata:

Opis:	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Kontakt

Opis

Kategoria:	Obwody zintegrowane Zarządzanie energią (PMIC) Kierowcy bram	Konfiguracja sterowana:	Półmostek
Status produktu:	Aktywny	Digi-Key programowalny:	Nie zweryfikowane
Typ bramy:	IGBT, N-kanałowy MOSFET	Pakiet:	Taśma i rolka (TR) Taśma cięcia (CT) Digi-Reel®
Zestaw:	-	Czas narastania / opadania (typ):	70ns, 30ns
Zestaw urządzeń dostawcy:	8-SOIC	Liczba kierowców:	2
Typ kanału:	Niezależny	Mfr:	Technologie Infineon
Temperatura pracy:	-40°C ~ 150°C (TJ)	Napięcie - zasilanie:	10V ~ 20V
Numer produktu podstawowego:	IRS2005	Typ wejścia:	Nieodwracający
Opakowanie / Pudełko:	8-SOIC (0,154", szerokość 3,90 mm)	Wysokie napięcie boczne — maks. (Bootstrap):	200 V
Rodzaj montażu:	Powierzchnia	Napięcie logiczne - VIL, VIH:	0,8 V, 2,5 V
Prąd — moc szczytowa (źródło, ujście):	290mA, 600mA