JANS1N5420US

Name: JANS1N5420US
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony MCU
(217)

Złącza FFC FPC
(3667)

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
(2459)

Audio Specjalny cel
(1050)

Układy scalone do akwizycji danych
(1000)

Wbudowane ICS
(1000)

Układy scalone interfejsów
(1000)

Liniowy układ scalony
(950)

IC logiczny
(894)

Układ pamięci
(984)

Zarządzanie energią
(939)

RF i bezprzewodowe
(995)

Czujniki temperatury IC
(1000)

Mnożniki częstotliwości
(934)

Zabezpieczenie obwodu IC
(992)

Dyskretny półprzewodnik
(911)

Polimerowe kondensatory
(700)

Czujniki ultradźwiękowe
(1000)

Układy scalone IC
(1000)

Ochrona obwodu
(692)

Optoelektronika
(1000)

Złącza koaksjalne
(400)

Dyskretne produkty półprzewodnikowe
(853)

Filtry ceramiczne Murata
(757)

Induktory, cewki, dusze
(950)

Złącza specyfikacji MIL
(890)

Układy scalone ICS
(27)

Im Online Czat teraz

Duży Obraz : JANS1N5420US

Szczegóły Produktu: Zapłata:

Opis:	DIODE GEN PURP 600V 3A B SQ-MELF

Kontakt

Opis

Kategoria:	Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody	Status produktu:	Aktywny
Temperatura robocza — złącze:	-65°C ~ 175°C	Rodzaj montażu:	Powierzchnia
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:	1,5 V przy 9 A	Pakiet:	Wyroby masowe
Zestaw:	Wojskowy, MIL-PRF-19500/411	Pojemność @ Vr, F:	-
Zestaw urządzeń dostawcy:	B, SQ-MELF	Czas przywracania wstecznego (trr):	400 ns
Mfr:	Technologia mikroczipu	technologii:	Standardowy
Opakowanie / Pudełko:	SQ-MELF, B	Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):	600 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):	3A	Prędkość:	Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)