BFP640E6327

Name: BFP640E6327
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony MCU
(217)

Złącza FFC FPC
(3667)

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
(2459)

Audio Specjalny cel
(1050)

Układy scalone do akwizycji danych
(1000)

Wbudowane ICS
(1000)

Układy scalone interfejsów
(1000)

Liniowy układ scalony
(950)

IC logiczny
(894)

Układ pamięci
(984)

Zarządzanie energią
(939)

RF i bezprzewodowe
(995)

Czujniki temperatury IC
(1000)

Mnożniki częstotliwości
(934)

Zabezpieczenie obwodu IC
(992)

Dyskretny półprzewodnik
(911)

Polimerowe kondensatory
(700)

Czujniki ultradźwiękowe
(1000)

Układy scalone IC
(1000)

Ochrona obwodu
(692)

Optoelektronika
(1000)

Złącza koaksjalne
(400)

Dyskretne produkty półprzewodnikowe
(853)

Filtry ceramiczne Murata
(757)

Induktory, cewki, dusze
(950)

Złącza specyfikacji MIL
(890)

Układy scalone ICS
(27)

Im Online Czat teraz

Duży Obraz : BFP640E6327

Szczegóły Produktu: Zapłata:

Opis:	TRANZYSTOR BIPOLARNY RF

Kontakt

Opis

Kategoria:	Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Bipolarne tranzystory RF	Prąd - kolektor (Ic) (maks.):	50MA
Status produktu:	Aktywny	Typ tranzystora:	NPN
Rodzaj montażu:	Powierzchnia	Częstotliwość - Przejście:	40 GHz
Pakiet:	Wyroby masowe	Zestaw:	-
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):	4,5 V	Zestaw urządzeń dostawcy:	PG-SOT343-4
Mfr:	Technologie Infineon	Współczynnik szumu (dB typ @ f):	0,65 dB ~ 1,2 dB przy 1,8 GHz ~ 6 GHz
Moc — maks:	200 mW	Zyski:	24dB
Opakowanie / Pudełko:	SC-82A, SOT-343	Temperatura pracy:	150°C (TJ)
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	110 @ 30 mA, 3 V