IXZR08N120

Name: IXZR08N120
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony MCU
(217)

Złącza FFC FPC
(3667)

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
(2459)

Audio Specjalny cel
(1050)

Układy scalone do akwizycji danych
(1000)

Wbudowane ICS
(1000)

Układy scalone interfejsów
(1000)

Liniowy układ scalony
(950)

IC logiczny
(894)

Układ pamięci
(984)

Zarządzanie energią
(939)

RF i bezprzewodowe
(995)

Czujniki temperatury IC
(1000)

Mnożniki częstotliwości
(934)

Zabezpieczenie obwodu IC
(992)

Dyskretny półprzewodnik
(911)

Polimerowe kondensatory
(700)

Czujniki ultradźwiękowe
(1000)

Układy scalone IC
(1000)

Ochrona obwodu
(692)

Optoelektronika
(1000)

Złącza koaksjalne
(400)

Dyskretne produkty półprzewodnikowe
(853)

Filtry ceramiczne Murata
(757)

Induktory, cewki, dusze
(950)

Złącza specyfikacji MIL
(890)

Układy scalone ICS
(27)

Im Online Czat teraz

Duży Obraz : IXZR08N120

Szczegóły Produktu: Zapłata:

Opis:	RF MOSFET N-KANAŁ PLUS247-3

Kontakt

Opis

Kategoria:	Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET	Status produktu:	Nieprzydatne
konfiguracja:	Kanał N	Napięcie — znamionowe:	1200 V
Pakiet:	Rurka	Zestaw:	Z-MOS™
Rysunek hałasu:	-	Zestaw urządzeń dostawcy:	PLUS247™-3
Napięcie — test:	100 V	Mfr:	IXYS-RF
Częstotliwość:	65MHz	Zyski:	23dB
Opakowanie / Pudełko:	TO-247-3	Moc - Wyjście:	250 W
technologii:	MOSFET	Prąd znamionowy (ampery):	8A