IXZH10N50L2B

Name: IXZH10N50L2B
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony MCU
(217)

Złącza FFC FPC
(3667)

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
(2459)

Audio Specjalny cel
(1050)

Układy scalone do akwizycji danych
(1000)

Wbudowane ICS
(1000)

Układy scalone interfejsów
(1000)

Liniowy układ scalony
(950)

IC logiczny
(894)

Układ pamięci
(984)

Zarządzanie energią
(939)

RF i bezprzewodowe
(995)

Czujniki temperatury IC
(1000)

Mnożniki częstotliwości
(934)

Zabezpieczenie obwodu IC
(992)

Dyskretny półprzewodnik
(911)

Polimerowe kondensatory
(700)

Czujniki ultradźwiękowe
(1000)

Układy scalone IC
(1000)

Ochrona obwodu
(692)

Optoelektronika
(1000)

Złącza koaksjalne
(400)

Dyskretne produkty półprzewodnikowe
(853)

Filtry ceramiczne Murata
(757)

Induktory, cewki, dusze
(950)

Złącza specyfikacji MIL
(890)

Układy scalone ICS
(27)

Im Online Czat teraz

Duży Obraz : IXZH10N50L2B

Szczegóły Produktu: Zapłata:

Opis:	N-KANAŁ MOSFET RF TO-247

Kontakt

Opis

Kategoria:	Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET	Status produktu:	Nieprzydatne
konfiguracja:	Kanał N	Napięcie — znamionowe:	500 V
Pakiet:	Rurka	Zestaw:	Z-MOS™
Rysunek hałasu:	-	Zestaw urządzeń dostawcy:	TO-247 (IXFH)
Napięcie — test:	100 V	Mfr:	IXYS-RF
Częstotliwość:	70MHz	Zyski:	17dB
Opakowanie / Pudełko:	TO-247-3	Moc - Wyjście:	200 W
technologii:	MOSFET	Prąd znamionowy (ampery):	10A