DE275-102N06A

Name: DE275-102N06A
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony MCU
(217)

Złącza FFC FPC
(3667)

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
(2459)

Audio Specjalny cel
(1050)

Układy scalone do akwizycji danych
(1000)

Wbudowane ICS
(1000)

Układy scalone interfejsów
(1000)

Liniowy układ scalony
(950)

IC logiczny
(894)

Układ pamięci
(984)

Zarządzanie energią
(939)

RF i bezprzewodowe
(995)

Czujniki temperatury IC
(1000)

Mnożniki częstotliwości
(934)

Zabezpieczenie obwodu IC
(992)

Dyskretny półprzewodnik
(911)

Polimerowe kondensatory
(700)

Czujniki ultradźwiękowe
(1000)

Układy scalone IC
(1000)

Ochrona obwodu
(692)

Optoelektronika
(1000)

Złącza koaksjalne
(400)

Dyskretne produkty półprzewodnikowe
(853)

Filtry ceramiczne Murata
(757)

Induktory, cewki, dusze
(950)

Złącza specyfikacji MIL
(890)

Układy scalone ICS
(27)

Im Online Czat teraz

Duży Obraz : DE275-102N06A

Szczegóły Produktu: Zapłata:

Opis:	RF MOSFET N-KANAŁ DE275

Kontakt

Opis

Kategoria:	Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET	Status produktu:	Nieprzydatne
konfiguracja:	Kanał N	Napięcie — znamionowe:	1000 W
Pakiet:	Rurka	Zestaw:	DE
Rysunek hałasu:	-	Zestaw urządzeń dostawcy:	DE275
Mfr:	IXYS-RF	Częstotliwość:	-
Zyski:	-	Opakowanie / Pudełko:	6-SMD, płaska podkładka odsłonięta
Moc - Wyjście:	590 W	technologii:	MOSFET
Prąd znamionowy (ampery):	8A	Numer produktu podstawowego:	DE275