WP28020015

Name: WP28020015
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony MCU
(217)

Złącza FFC FPC
(3667)

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
(2459)

Audio Specjalny cel
(1050)

Układy scalone do akwizycji danych
(1000)

Wbudowane ICS
(1000)

Układy scalone interfejsów
(1000)

Liniowy układ scalony
(950)

IC logiczny
(894)

Układ pamięci
(984)

Zarządzanie energią
(939)

RF i bezprzewodowe
(995)

Czujniki temperatury IC
(1000)

Mnożniki częstotliwości
(934)

Zabezpieczenie obwodu IC
(992)

Dyskretny półprzewodnik
(911)

Polimerowe kondensatory
(700)

Czujniki ultradźwiękowe
(1000)

Układy scalone IC
(1000)

Ochrona obwodu
(692)

Optoelektronika
(1000)

Złącza koaksjalne
(400)

Dyskretne produkty półprzewodnikowe
(853)

Filtry ceramiczne Murata
(757)

Induktory, cewki, dusze
(950)

Złącza specyfikacji MIL
(890)

Układy scalone ICS
(27)

Im Online Czat teraz

Duży Obraz : WP28020015

Szczegóły Produktu: Zapłata:

Opis:	RF GaN HEMT 28V DIE DC~20GHZ, 15

Kontakt

Opis

Kategoria:	Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET	Status produktu:	Aktywny
Napięcie — znamionowe:	28 V	Pakiet:	Pudełko
Zestaw:	-	Rysunek hałasu:	-
Zestaw urządzeń dostawcy:	umierać	Napięcie — test:	28 V
Mfr:	WAVEPIA., Co.Ltd	Częstotliwość:	15 GHz
Zyski:	10dB	Opakowanie / Pudełko:	umierać
Bieżący — Test:	300 mA	Moc - Wyjście:	15 W
technologii:	GaN HEMT	Prąd znamionowy (ampery):	880 mA