WPGM0206012

Name: WPGM0206012
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony MCU
(217)

Złącza FFC FPC
(3667)

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
(2459)

Audio Specjalny cel
(1050)

Układy scalone do akwizycji danych
(1000)

Wbudowane ICS
(1000)

Układy scalone interfejsów
(1000)

Liniowy układ scalony
(950)

IC logiczny
(894)

Układ pamięci
(984)

Zarządzanie energią
(939)

RF i bezprzewodowe
(995)

Czujniki temperatury IC
(1000)

Mnożniki częstotliwości
(934)

Zabezpieczenie obwodu IC
(992)

Dyskretny półprzewodnik
(911)

Polimerowe kondensatory
(700)

Czujniki ultradźwiękowe
(1000)

Układy scalone IC
(1000)

Ochrona obwodu
(692)

Optoelektronika
(1000)

Złącza koaksjalne
(400)

Dyskretne produkty półprzewodnikowe
(853)

Filtry ceramiczne Murata
(757)

Induktory, cewki, dusze
(950)

Złącza specyfikacji MIL
(890)

Układy scalone ICS
(27)

Im Online Czat teraz

Duży Obraz : WPGM0206012

Szczegóły Produktu: Zapłata:

Opis:	RF GAN HEMT MMIC 2 szt./opak

Kontakt

Opis

Kategoria:	Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET	Status produktu:	Aktywny
konfiguracja:	-	Napięcie — znamionowe:	50 V
Pakiet:	Wyroby masowe	Zestaw:	-
Rysunek hałasu:	-	Zestaw urządzeń dostawcy:	umierać
Napięcie — test:	48 V	Mfr:	WAVEPIA., Co.Ltd
Częstotliwość:	2 GHz ~ 6 GHz	Zyski:	9,6 dB
Opakowanie / Pudełko:	umierać	Bieżący — Test:	610 mA
Moc - Wyjście:	41dBm	technologii:	GaN
Prąd znamionowy (ampery):	-