| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET | Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: | 20 nC @ 4,5 V |
|---|---|---|---|
| Status produktu: | Nieprzydatne | Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Pakiet: | Taśma i rolka (TR) Taśma cięta (CT) | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1007 pF przy 15 V |
| Zestaw: | OptiMOS™ | Vgs (maks.): | ±12 V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 1,2 V przy 40 µA | Zestaw urządzeń dostawcy: | PG-TSOP6-6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 41 mOhm przy 6 A, 4,5 V | Mfr: | Technologie Infineon |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) | Typ FET: | Kanał P |
| Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): | 2.5V, 4.5V | Rozpraszanie mocy (maks.): | 2 W (Ta) |
| Opakowanie / Pudełko: | SOT-23-6 cienki, TSOT-23-6 | Napięcie od drenu do źródła (Vdss): | 20 V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: | 6A (Ta) | technologii: | MOSFET (tlenek metalu) |
| Funkcja FET: | - |
P-kanał 20 V 6A (Ta) 2W (Ta) Nawierzchnia PG-TSOP6-6
Osoba kontaktowa: Liu Guo Xiong
Tel: +8618200982122
Faks: 86-755-8255222