GSID100A120T2C1

Name: GSID100A120T2C1
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony MCU
(217)

Złącza FFC FPC
(3667)

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
(2459)

Audio Specjalny cel
(1050)

Układy scalone do akwizycji danych
(1000)

Wbudowane ICS
(1000)

Układy scalone interfejsów
(1000)

Liniowy układ scalony
(950)

IC logiczny
(894)

Układ pamięci
(984)

Zarządzanie energią
(939)

RF i bezprzewodowe
(995)

Czujniki temperatury IC
(1000)

Mnożniki częstotliwości
(934)

Zabezpieczenie obwodu IC
(992)

Dyskretny półprzewodnik
(911)

Polimerowe kondensatory
(700)

Czujniki ultradźwiękowe
(1000)

Układy scalone IC
(1000)

Ochrona obwodu
(692)

Optoelektronika
(1000)

Złącza koaksjalne
(400)

Dyskretne produkty półprzewodnikowe
(853)

Filtry ceramiczne Murata
(757)

Induktory, cewki, dusze
(950)

Złącza specyfikacji MIL
(890)

Układy scalone ICS
(27)

Im Online Czat teraz

Szczegóły Produktu: Zapłata:

Opis:	IGBT MOD 1200 V 200 A 640 W

Kontakt

Opis

Kategoria:	Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT	Prąd - kolektor (Ic) (maks.):	200 A
Status produktu:	Nieprzydatne	Rodzaj montażu:	Mocowanie podwozia
Pakiet:	Wyroby masowe	Zestaw:	Wzmacniacz+™
Opakowanie / Pudełko:	Moduł	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:	2,1 V przy 15 V, 100 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):	1200 V	Zestaw urządzeń dostawcy:	Moduł
Mfr:	PółQ	Temperatura pracy:	-40°C ~ 150°C
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):	1mA	Typ IGBT:	-
Moc — maks:	640 W	Wpływ:	Trójfazowy mostek prostowniczy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:	13,7 nF przy 25 V	konfiguracja:	Falownik trójfazowy
Termistor NTC:	- Tak, proszę.	Numer produktu podstawowego:	GSID100