Dom Produkty Dyskretne produkty półprzewodnikowe

PD85025S-E

Name: PD85025S-E
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony MCU
(217)

Złącza FFC FPC
(3667)

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
(2459)

Audio Specjalny cel
(1050)

Układy scalone do akwizycji danych
(1000)

Wbudowane ICS
(1000)

Układy scalone interfejsów
(1000)

Liniowy układ scalony
(950)

IC logiczny
(894)

Układ pamięci
(984)

Zarządzanie energią
(939)

RF i bezprzewodowe
(995)

Czujniki temperatury IC
(1000)

Mnożniki częstotliwości
(934)

Zabezpieczenie obwodu IC
(992)

Dyskretny półprzewodnik
(911)

Polimerowe kondensatory
(700)

Czujniki ultradźwiękowe
(1000)

Układy scalone IC
(1000)

Ochrona obwodu
(692)

Optoelektronika
(1000)

Złącza koaksjalne
(400)

Dyskretne produkty półprzewodnikowe
(853)

Filtry ceramiczne Murata
(757)

Induktory, cewki, dusze
(950)

Złącza specyfikacji MIL
(890)

Układy scalone ICS
(27)

Im Online Czat teraz

PD85025S-E

Duży Obraz : PD85025S-E

Szczegóły Produktu: Zapłata:

Opis:	Arkusz danych PD85025S-E w formacie PDF i tranzystory - FET, MOSFET - Szczegóły produktu RF z magazy

Kontakt

PD85025S-E

Opis

Numer części:	PD85025S-E	Producent:	STMikroelektronika
Opis:	W magazynie. Dostępne są modele alternatywne.	Koło życia:	Nowe od tego producenta
Arkusz danych:	PD85025S-E Karta katalogowa w formacie PDF	Dostawa:	DHL, UPS, FedEx, Poczta polecona
Wypłata:	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union	Więcej informacji:	PD85025S-E Więcej informacji
ECAD:	Poproś o bezpłatne modele CAD	Cennik (USD):	28,64 dolarów
Uwaga:	Producent: STMicroelectronics. Tanssion jest jednym z Dystrybutorów. Szeroki zakres zastosowań.	Zyski:	17,3 dB
Częstotliwość:	870MHz	Prąd testowy:	300 mA
Maksymalna częstotliwość:	1 GHz	Liczba PINÓW:	3
Maksymalna moc wyjściowa:	30 W	Liczba elementów:	1
Maksymalne rozpraszanie mocy:	79 W	Minimalna temperatura robocza:	-65°C
Ciągły prąd drenu (Id):	7 A	Napięcie przebicia drenu do źródła:	40 V
Kategoria produktów:	Dyskretny półprzewodnik - Tranzystory - FET, MOSFET - RF	Arkusz danych:	PD85025S-E.pdf
ILOŚĆ:	2759 W magazynie	Wnioski:	Urządzenia do noszenia w przemyśle lotniczym i obronnym (niemedyczne)
Uchwyt:	Powierzchnia	Moc wyjściowa:	10 W
Napięcie testowe:	13,6 V	Aktualna ocena:	7 A
Poziom napięcia:	40 V	Rozpraszanie mocy:	79 W
Konfiguracja elementu:	Samotny	Maksymalna temperatura robocza:	165°C
Bramka do napięcia źródła (Vgs):	15 V	Napięcie od drenu do źródła (Vdss):	40 V

PD85025S-E jest modelem należącym do podkategorii tranzystorów - FET, MOSFET - RF w ramach dyskretnego półprzewodnika.Proszę zapoznać się z arkuszem danychMamy zdjęcia PD85025S-E w wysokiej rozdzielczości i arkusze danych do odniesienia.Będziemy nadal produkować różne pliki wideo i modele 3D dla użytkowników, aby zrozumieć nasz produkt bardziej intuicyjnie i kompleksowoPD85025S-E jest szeroko stosowany w branży medycznej, lotniczej i obrony, urządzeń noszonych (nie medycznych).PD85025S-E można kupić na wiele sposobów/Możesz zamówić bezpośrednio na tej stronie internetowej, /albo możesz zadzwonić lub wysłać nam e-mail.Możemy również dostosować zapasy do dystrybutorów, aby spełnić Twoje potrzeby.Jeśli podaż PD85025S-E jest niewystarczająca, mamy również inne modele w kategorii Transistory Półprzewodnikowe - FET, MOSFET - RF, które mogą go zastąpić. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansJeśli chodzi o dostawę, możemy dostarczyć towary do naszych klientów poprzez różne systemy logistyczne, takie jak DHL, FedEx, UPS,TNT i EMS lub jakikolwiek inny spedytorJeśli chcesz wiedzieć więcej o przewozie, skontaktuj się z nami.
Steval-tdr022v1.pdf

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Miss. Coral

Tel: +86 15211040646