Dom Produkty Dyskretne produkty półprzewodnikowe

SI7949DP-T1-GE3

Name: SI7949DP-T1-GE3
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony MCU
(217)

Złącza FFC FPC
(3667)

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
(2459)

Audio Specjalny cel
(1050)

Układy scalone do akwizycji danych
(1000)

Wbudowane ICS
(1000)

Układy scalone interfejsów
(1000)

Liniowy układ scalony
(950)

IC logiczny
(894)

Układ pamięci
(984)

Zarządzanie energią
(939)

RF i bezprzewodowe
(995)

Czujniki temperatury IC
(1000)

Mnożniki częstotliwości
(934)

Zabezpieczenie obwodu IC
(992)

Dyskretny półprzewodnik
(911)

Polimerowe kondensatory
(700)

Czujniki ultradźwiękowe
(1000)

Układy scalone IC
(1000)

Ochrona obwodu
(692)

Optoelektronika
(1000)

Złącza koaksjalne
(400)

Dyskretne produkty półprzewodnikowe
(853)

Filtry ceramiczne Murata
(757)

Induktory, cewki, dusze
(950)

Złącza specyfikacji MIL
(890)

Układy scalone ICS
(27)

Im Online Czat teraz

SI7949DP-T1-GE3

Duży Obraz : SI7949DP-T1-GE3

Szczegóły Produktu: Zapłata:

Opis:	Karta katalogowa SI7949DP-T1-GE3 w formacie PDF i tranzystory - FET, MOSFET - Szczegóły produktu dot

Kontakt

SI7949DP-T1-GE3

Opis

Numer części:	SI7949DP-T1-GE3	Producent:	Vishay/Siliconix
Opis:	W magazynie. Dostępne są modele alternatywne.	Koło życia:	Nowe od tego producenta
Arkusz danych:	SI7949DP-T1-GE3 Karta katalogowa w formacie PDF	Dostawa:	DHL, UPS, FedEx, Poczta polecona
Wypłata:	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union	Więcej informacji:	SI7949DP-T1-GE3 Więcej informacji
ECAD:	Poproś o bezpłatne modele CAD	Cennik (USD):	1,66 dolara
Uwaga:	Producent: Vishay/Siliconix. Tanssion jest jednym z Dystrybutorów. Szeroki zakres zastosowań.	Uchwyt:	Powierzchnia
Czas upadku:	30 sekund	Czas wschodu:	9 ns
Harmonogram B:	8541290080	Liczba PINÓW:	8
Próg napięcia:	-3 V	Liczba elementów:	2
Czas opóźnienia wyłączenia:	65 ns	Maksymalne rozpraszanie mocy:	1,5 W
Minimalna temperatura robocza:	-55°C	Bramka do napięcia źródła (Vgs):	20 V
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):	60 V	Kategoria produktów:	Dyskretny półprzewodnik - Tranzystory - FET, MOSFET - Tablice
Arkusz danych:	SI7949DP-T1-GE3.pdf	ILOŚĆ:	1827 W magazynie
Wnioski:	Dostarczanie mocy Automatyka i kontrola fabryki Przechowywanie danych	Waga:	506,605978 mg
Opakowanie:	Digi-Reel®	Rds na maks:	64 mΩ
Skrzynia/Opakowanie:	SOIC	Rozpraszanie mocy:	1,5 W
Liczba kanałów:	2	Czas opóźnienia włączenia:	8 ns
Konfiguracja elementu:	Podwójny	Maksymalna temperatura robocza:	150°C
Rezystancja odpływu do źródła:	64 mΩ	Ciągły prąd drenu (Id):	3.2 A
Napięcie przebicia drenu do źródła:	-60 V

SI7949DP-T1-GE3 Przegląd\\\\nSI7949DP-T1-GE3 jest modelem należącym do podkategorii Tranzystorów - FET, MOSFET - Arrays w ramach dyskretnego półprzewodnika.Proszę zapoznać się z arkuszem danychMamy zdjęcia wysokiej rozdzielczości SI7949DP-T1-GE3 i arkusze danych do odniesienia.Będziemy nadal produkować różne pliki wideo i modele 3D dla użytkowników, aby zrozumieć nasz produkt bardziej intuicyjnie i kompleksowoSI7949DP-T1-GE3 jest szeroko stosowany w dostarczaniu energii elektrycznej, automatyzacji i kontroli fabryk, przechowywaniu danych.SI7949DP-T1-GE3 można kupić na wiele sposobów/Możesz zamówić bezpośrednio na tej stronie internetowej, /albo możesz zadzwonić lub wysłać nam e-mail.Możemy również dostosować zapasy do dystrybutorów, aby spełnić Twoje potrzeby.Jeśli zaopatrzenie w SI7949DP-T1-GE3 jest niewystarczające, mamy również inne modele w kategorii Transistory Półprzewodnikowe - FET, MOSFET - Arrays, które mogą go zastąpić. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansJeśli chodzi o dostawę, możemy dostarczyć towary do naszych klientów poprzez różne systemy logistyczne, takie jak DHL, FedEx, UPS,TNT i EMS lub jakikolwiek inny spedytorJeśli chcesz wiedzieć więcej o przewozie, skontaktuj się z nami.
73130.pdf

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Liu Guo Xiong

Tel: +8618200982122

Faks: 86-755-8255222