Chiny Dyskretny półprzewodnik

• 

  2N7002T-7

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Status produktu:Wycofane w Digi-Key

  Skontaktuj się teraz
• 

  BSS123W-7

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Status produktu:Wycofane w Digi-Key

  Skontaktuj się teraz
• 

  IRLR7833TR

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:50 nC przy 4,5 V

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  ZXM41N10FTA

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  IRLR8113TR

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:32 nC przy 4,5 V

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  IRFR3707Z

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:14 nC przy 4,5 V

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  SPI100N03S2L-03

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Vgs(th) (Maks.) @ Id:2 V przy 250µA

  Skontaktuj się teraz
• 

  IPI04N03LA

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Vgs(th) (Maks.) @ Id:2 V przy 60µA

  Skontaktuj się teraz
• 

  IRLR8113

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:32 nC przy 4,5 V

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  SPI11N60C3XKSA1

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Vgs(th) (Maks.) @ Id:3,9 V przy 500 µA

  Skontaktuj się teraz
• 

  FQD4P25TF

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Vgs(th) (Maks.) @ Id:5V przy 250µA

  Skontaktuj się teraz
• 

  Zmiany w systemach operacyjnych

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Vgs(th) (Maks.) @ Id:2 V przy 40µA

  Skontaktuj się teraz