Chiny Dyskretny półprzewodnik

• 

  SPI07N60C3HKSA1

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Vgs(th) (Maks.) @ Id:3,9 V przy 350 µA

  Skontaktuj się teraz
• 

  BSO301SPNTMA1

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:136 nC @ 10 V

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  SPA04N60C3XKSA1

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Vgs(th) (Maks.) @ Id:3,9 V przy 200 µA

  Skontaktuj się teraz
• 

  BSP317PE6327

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Vgs(th) (Maks.) @ Id:2 V przy 370µA

  Skontaktuj się teraz
• 

  BSL207SP

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:20 nC @ 4,5 V

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  BSS670S2L

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:2,26 nC przy 10 V

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  BSO203SPNTMA1

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:50,4 nC przy 4,5 V

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  IPB05N03LA

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Vgs(th) (Maks.) @ Id:2 V przy 50 µA

  Skontaktuj się teraz
• 

  BSP316PE6327

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:6,4 nC przy 10 V

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  IPD04N03LA G

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Vgs(th) (Maks.) @ Id:2 V przy 80µA

  Skontaktuj się teraz
• 

  IPD13N03LA G

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Vgs(th) (Maks.) @ Id:2 V przy 20 µA

  Skontaktuj się teraz
• 

  BSS223PW L6327

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:0,62 nC przy 4,5 V

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz