Chiny Dyskretny półprzewodnik

• 

  GSID300A120S5C1

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT

  Prąd - kolektor (Ic) (maks.):430 A

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  GSID100A120T2C1A

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT

  Prąd - kolektor (Ic) (maks.):200 A

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  GSID150A120T2C1

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT

  Prąd - kolektor (Ic) (maks.):285 A

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  GSA75AA120

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT

  Prąd - kolektor (Ic) (maks.):75 A

  Status produktu:Aktywny

  Skontaktuj się teraz
• 

  GSID150A120S5C1

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT

  Prąd - kolektor (Ic) (maks.):285 A

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  GSID100A120T2C1

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT

  Prąd - kolektor (Ic) (maks.):200 A

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  GSID150A120S6A4

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT

  Prąd - kolektor (Ic) (maks.):275 A

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  GSID600A120S4B1

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT

  Prąd - kolektor (Ic) (maks.):1130 A

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  FII40-06D

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Tablice IGBT

  Prąd - kolektor (Ic) (maks.):40 A

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  MMIX4B20N300

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Tablice IGBT

  Prąd - kolektor (Ic) (maks.):34 A

  Status produktu:Aktywny

  Skontaktuj się teraz
• 

  IRF2804

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:240 nC @ 10 V

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz
• 

  BTS115ANKSA1

  Kategoria:Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET

  Funkcja FET:-

  Status produktu:Nieprzydatne

  Skontaktuj się teraz